HWE법에 의한 CdS 단결정 박막의 성장

양동익; 최용대; 김진배

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자료유형: 학술저널

저자정보: 양동익 최용대 김진배

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제3호

발행연도: 1992.10

수록면: 353 - 359 (7page)

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본 연구에서는 HWE 방법에 의하여 GaAs(100) 기판위에 입방정의 단결정 박막을 성장하였다. 성장된 CdS 단결정 박막의 결정구조와 방향을 ECP(electron channeling pattern)로 결정하였다. CdS 박막의 (400)면이 기판과 평행하게 성장됨을 알았다. CdS 박막의 photoluminescence를 20K에서 측정하였는데, free exciton, bound exciton 및 donor-acceptor pair에 의한 발광이 관측되었다.

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