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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제3호
발행연도
2016.1
수록면
131 - 134 (4page)

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본 논문에서는 일체형 LED 구동 ICs를 패키징을 하였을 때 문제점으로 지적되어온 열 특성을 사전에 분석하고, 레이 아웃시 최적의 설계를 위하여 열 특성 분석 결과를 적용하였음과 동시에 실제로 제작을 하여 전기적 특성을 분석하였다. 열적 특성 분석에 있어서는 패키징을 하였을 때 실제 상온에서 2℃이상 증가하지 않는 것을 확인하여, 히트 싱크의 추가없이도 신뢰성을 확인할 수 있었다. 그리고 오버슈트 전류에 의한 열적 손실을 도출하기 위해 구동전류를 2배, 3배 증가시킨 결과 각각 22mW, 49.5mW의 열적 손실로 비교적 안정된 값을 가지고 있으며, 온도상승의 최적값을 구한 결과 구동전류는 350mA의 값을 얻을 수 있었다. 또한 전력 MOSFET과 구동 ICs간의 거리도 온도 상승에 영향을 끼치는 중요한 요소이기 때문에 실험한 결과 거리가 증가함에 따라 온도가 감소하는 경향을 보여주고 있으며, 최대 3.7mm의 거리가 최적의 값으로 도출되었다. 최종적으로 열적 특성 결과를 반영하여 패키징을 제작하였을 때 출력전압인 V_Out이 32V로 전압변화에도 일정한 출력을 보이며, I_Out, P_Out도 오차범위인 ±1의 범위에서 일정하게 출력되어 효율 80%이상을 달성하고 있음을 알 수 있었다.
#Smart LED package #Thermal Characteristics #Distance of Devices #Power Devices #Heat SinK

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C. Hu / 1984 / IEEE Transactions on Electron Devices ED-31:1693 google schola 심관필 / 2013 / 80 V급 저전력 반도체 소자의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 26(3):190~193 dbpia T. S. Ma / 1992 / Solid-State Electronics 35:201 Crossref 홍영성 / 2012 / 600 V급 Super Junction MOSFET을 위한 Field Ring 설계의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(4):276~281 dbpia 이정훈 / 2012 / Deep Trench Filling 기술을 적용한 600 V급 Super Junction Power MOSFET의 최적화 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(4):270~275 dbpia

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