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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제9호
발행연도
2006.1
수록면
825 - 831 (7page)

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As an increase of chip complexity and level of chip integration, chip input/output (I/O) pad pitches are also drastically reduced. With arrival of high complexity SoC (System on Chip) and SiP (System in Package) products, conventional horizontal type probe card showed its limitation on probing density for wafer level test. To enhance probing density, we proposed new vertical type probe card that has the 70 ㎛ probe needle with tungsten wire in 80 ㎛ micro-drilled hole in ceramic board. To minimize alignment error, micro-drilling conditions are optimized and epoxy-hardening conditions are also optimized to minimize planarity changes. To apply wafer level test for target devices (T5365 256M SDRAM), designed probe card was characterized by probe needle tension for test, contact resistance measurement, leakage current measurement and the planarity test. Compare to conventional probe card with minimum pitch of 50∼125 ㎛ and 2 Ω of average contact resistance, designed probe card showed only 22 ㎛ of minimum pitch and 1.5 Ω of average contact resistance. And also, with the nature of vertical probing style, it showed comparably small contact scratch and it can be applied to bumping type chip test.
#Vertical type probe card #Probe card #Epoxy #Wafer level test #Micro-drilling

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참고문헌 (12)

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/ 1988. / New Frontiers in Testing : 601 ~ google schola / 1990. / A fine pitch probe technology for VLSI wafer testing : 900 ~ google schola / 1995. / Active substrate membrane probe card : 709 ~ google schola / 1996. / Four multi probing test for 16 bit DAC with vertical contact probe card : 86 ~ google schola / 1997. / Method and apparatus for wirebonding and for forming balls on the ends of bond wires google schola

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