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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 652 - 655 (4page)
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ZnO thin films on (001) Al2O3 substrates have been deposited by pulsed laser deposition(PLD) technique using an Nd:YAG laser with a wavelength of 266 ㎚. The influence of the deposition parameters, such as oxygen gas flow, substrate temperature and laser energy density variation on the properties of the grown film, was studied. The experiments were performed for substrate temperatures in the range of 300～450 ℃ and oxygen gas flow rate of 100～900 sccm. We investigated the structural and optical properties of ZnO thin films using X-ray diffraction(XRD) and photoluminescence(PL).
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/ 1996. / Correlation between photoluminescence and oxygen vacancies in ZnO phophores 68 : 403 ~
/ 1996. / Introduction to solid state physics (7) : 58 ~
/ 1996. / Pulsed-laser deposited ZnO for device applications 96-98 : 811 ~
/ 1996. / ZnO thin film deposition by laser ablation of Zn target in oxygen reactive atmosphere 106 : 149 ~
/ 1997. / Mosaic structure in epitaxial thin films having large lattice mismatch 82 (9) : 4286 ~
/ 1996. / Introduction to solid state physics (7) : 58 ~
/ 1996. / Pulsed-laser deposited ZnO for device applications 96-98 : 811 ~
/ 1996. / ZnO thin film deposition by laser ablation of Zn target in oxygen reactive atmosphere 106 : 149 ~
/ 1997. / Mosaic structure in epitaxial thin films having large lattice mismatch 82 (9) : 4286 ~
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