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논문 기본 정보
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- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제4호
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 196 - 200 (5page)
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We have developed new electrostatic discharge (ESD) protection devices with, bidirectional flip chip transient voltagesuppression. The devices differ in their epitaxial (epi) layers, which were grown by reduced pressure chemical vapordeposition (RPCVD). Their ESD properties were characterized using current-voltage (I-V), capacitance-voltage (CV)measurement, and ESD analysis, including IEC61000-4-2, surge, and transmission line pulse (TLP) methods. TwoBD-FCTVS diodes consisting of either a thick (12 μm) or thin (6 μm), n-Si epi layer showed the same reverse voltageof 8 V, very small reverse current level, and symmetric I-V and C-V curves. The damage found near the corner of themetal pads indicates that the size and shape of the radius governs their failure modes. The BD-FCTVS device madewith a thin n- epi layer showed better performance than that made with a thick one in terms of enhancement of thefeatures of ESD robustness, reliability, and protection capability. Therefore, this works confirms that the optimizationof device parameters in conjunction with the doping concentration and thickness of epi layers be used to achieve highperformance ESD properties.
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참고문헌 (16)
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A.Z Wang / 2001 / On-chip ESD protection design for integrated circuits: an overview for IC designers / Microelectronics Journal 32(9):733~747
Ming-Dou Ker / 2008 / ESD Protection Design With On-Chip ESD Bus and High-Voltage-Tolerant ESD Clamp Circuit for Mixed-Voltage I/O Buffers / IEEE Transactions on Electron Devices 55(6):1409~1416
A.Z.H. Wang / 2005 / A Review on RF ESD Protection Design / IEEE Transactions on Electron Devices 52(7):1304~1311
A. Amerasekera / 1995 / The impact of technology scaling on ESD robustness and protection circuit design / IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology: Part A 18(2):314~320
R. Merri / 1993 / Proc. of the EOS/ESD Symp :233
Ming-Dou Ker / 2008 / ESD Protection Design With On-Chip ESD Bus and High-Voltage-Tolerant ESD Clamp Circuit for Mixed-Voltage I/O Buffers / IEEE Transactions on Electron Devices 55(6):1409~1416
A.Z.H. Wang / 2005 / A Review on RF ESD Protection Design / IEEE Transactions on Electron Devices 52(7):1304~1311
A. Amerasekera / 1995 / The impact of technology scaling on ESD robustness and protection circuit design / IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology: Part A 18(2):314~320
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