Electrical Properties of CuPc FET with Different Substrate Temperature

Ho Shik Lee; Yong Pil Park; Min Woo Cheon

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자료유형: 학술저널

저자정보: Ho Shik Lee Yong Pil Park Min Woo Cheon

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제4호

발행연도: 2007.1

수록면: 170 - 173 (4page)

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Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated the organic field-effect transistor based a copper phthalocyanine (CuPc) as an active layer on the silicon substrate. The CuPc FET device was made a top-contact type and the substrate temperature was room temperature and 150 ℃. The CuPc thickness was 40 nm, and the channel length was 50 m, channel width was 3 mm. We observed the typical current-voltage (I-V) characteristics and capacitance-voltage (C-V) in CuPc FET and we calculated the effective mobility with each device. Also, we observed the AFM images with different substrate temperature.

#CuPc #Organic field-effect transistor #OFET) #Effective mobility #Current-voltage characteristics #I-V) #Capacitance-voltage characteristics #C-V)

참고문헌 (6)

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/ 2003 / Thin-Film Transistors, Marcel Dekker : 333 ~

/ 2006 / Control of the nano electrostatic phenomena at a pentacene/metal interface for improvement of the organic FET devices 499 : 386 ~

/ 2006 / Maxwell-wagner model analysis for the capacitance-voltage characteristics of pentacene field effect transistor 45 : 3712 ~

/ 2006 / Modulation in optical second harmonic generation signal from channel of pentacene field effect transistors during device operation 87 (222107) : 222107-1 ~

/ 2007 / Effect of channel length in LDMMOSFET on the switching characteristics of CMOS inverter 8 (1) : 21 ~

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