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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
350 - 356 (7page)

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We report the space charge and the surface potential of the interface between metal and copper(II)-phthalocyanine(CuPc) thin films by measuring the microwave reflection coefficients S11 of thin films using a near-field scanning microwave microscope(NSMM). CuPc thin films were prepared on Au and Al thin films using a thermal evaporation method. Two kinds of CuPc thin films were prepared by different substrate heating conditions; one was deposited on preheated substrate at 150 ℃ and the other was annealed after deposition. The microwave reflection coefficients S11 of CuPc thin films were changed by the dependence on grain alignment due to heat treatment conditions and depended on thickness of CuPc thin films. Electrical conductivity of interface between metal and organic CuPc was changed by the space charge of the interface. By comparing reflection coefficient S11 we observed the electrical conductivity changes of CuPc thin films by the changes of surface potential and space charge at the interface.
#Interface between metal and organic material #Interfacial electronic structrure #Near-field scanning microwave microscope #NSMM) #Reflection coefficient S11 #Copper #II) phthalocyanine thin film #Space charge #Surface potential

목차

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/ 1985. / Two-layer organic photo- voltaic cell 48 (2) : 183 ~ google schola / 1992. / Improvement of photoelectroche- mical properties of chloroaluminum phthalo- cyanine thin films by controlled crystalli- zation and molecular orientation 96 : 1366 google schola / 1992. / Surface potential of heat-treated PI langmuir-blodgett films deposited on metal electrodes 31 (11) : 3671 ~ google schola / 1994. / Spatial distribution of charges in ultrathin polyimide Langmuir-Blodgett films 75 (3) : 1607 ~ google schola / 1997. / Energy level align- ment at organic/metal interfaces studied by UV photoemission breakdown of traditional assumption of a common vacuum level at the interface IEEE google schola

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