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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제12호
발행연도
2011.1
수록면
988 - 991 (4page)

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본 연구에서 CuPc를 활성층으로 사용하고, 소스와 드레인 전극을 Au로 사용하여 두가 형태의 CuPc FET를 제작하여 전기적 특성 측정을 하였다. 측정 결과 전형적인 FET의 특성을 보이고 있으며, 문턱전압의 값을 측정한 결과 약 10 V의 비슷한 값을 보이고 있는 것으로 확인할 수 있었다. 또한 캐패시턴스와 게이트 전압과의 관계를 측정한 결과 bottom-contact CuPc FET의 경우는 게이트 전압이 약 20 V일 때 캐패시턴스 값이 급격하게 증가하는 것을 알 수 있으며, top-contact CuPc FET의 경우는 일정하게 캐패시턴의 값이 증가하는 것을 볼 수 있었다.
#Organic FET #CuPc #Bottom and top contact FET

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참고문헌 (9)

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C. R. Kagan / 2003 / Thin-Film Transistor / Marcel Dekker Inc google schola E. Lim / 2006 / / Jpn. J. Appl. Phys 45 : 3712 ~ google schola H. W. Hwang / 2002 / / J. KIEEME 11 : 522 ~ google schola Ho Shik Lee / 2007 / Electrical Properties of CuPc FET with Different Substrate Temperature / Transactions on Electrical and Electronic Materials 8 (4) : 170 ~ 173 google schola S. K. Cheng / 2002 / / J. KIEEME 15 : 233 ~ google schola

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