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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제1호
발행연도
2007.1
수록면
1 - 4 (4page)

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This paper discusses two approaches for pre-polishing optimization of oxide chemical mechanical planarization (CMP) that can be used as alternatives to the commonly applied dummy structure insertion in shallow trench isolation (STI) and replacement gate (RG) technologies: reverse nitride masking (RNM) and oxide etchback (OEB). Wafers have been produced using each optimization technique and CMP tests have been performed. Dishing, erosion and global planarity have been investigated with the help of conductive atomic force microscopy (C-AFM). The results demonstrate the effectiveness of both techniques which yield excellent planarity without dummy structure related performance degradation due to capacitive coupling.
#CMP #Etchback #Reverse masking #C-AFM

목차

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참고문헌 (3)

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/ / Electrical AFM Measurements for Evaluation of Nitride Erosion in Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Planarization google schola / / Performance-Impact Limited Area Fill Synthesis google schola / 2002. / Making CMP work 3 (7) google schola

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