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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제10권 제5호
발행연도
2009.1
수록면
165 - 168 (4page)

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Transparent and conducting ITO/Cu/ITO multilayered films were deposited by magnetron sputtering on unheated polycarbonate (PC) substrates. The thickness of the Cu intermediate film was varied from 5 to 20 nm. Changes in the microstructure and optoelectrical properties of ITO/Cu/ITO films were investigated with respect to the thickness of the Cu intermediated layer. The optoelectrical properties of the films were significantly influenced by the thickness of the Cu interlayer. The sandwich structure of ITO 50 nm/Cu 5 nm/ITO 45 nm films had a sheet resistance of 36 /Sq. and an optical transmittance of 67% (contain substrate) at a wavelength of 550 nm, while the ITO 50 nm/Cu 20 nm/ITO 30 nm films had a sheet resistance of 70 /Sq. and an optical transmittance of 36%. The electrical and optical properties of ITO/Cu/ITO films were determined mainly by the Cu film properties. From the figure of merit, it is concluded that the ITO/Cu/ITO films with a 5 nm Cu interlayer showed the better performance in transparent conducting electrode applications than the conventional ITO films.

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