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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
177 - 185 (9page)

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Fatigue characteristics of lead zirconate titanate (PZT) films deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition (ECR-PECVD) were investigated. The fatigue characteristics were investigated with respect to PZT film thickness, domain structure, fatigue pulse height, temperature, electrode materials and electrode configurations. The used top and bottom electrode materials were Pt and RuO2. In the fatigue characteristics with fatigue pulse height and PZT film thickness, the fatigue rates are independent of the applied fatigue pulse height at the electric field regions to saturate the P-E hysteresis and polarization (P*, P^) characteristics. The unipolar and bipolar fatigue characteristics of PZT capacitors with four different electrode configurations (Pt//Pt, Pt//RuO2, RuO2//Pt, and RuO2//RuO2) were also investigated. The polarization-shifts during the unipolar fatigue and the temperature dependence of fatigue rate suggest that the migration of charged defects should not be expected in our CVD-PZT films. It seems that the polarization degradations are attributed to the formation of charged defects only at the Pt/PZT interface during the domain switching. The charged defects pin the domain wall at the vicinity of Pt/PZT interface. When the top and bottom electrode configurations are of asymmetric (Pt//RuO2, RuO2//Pt), the internal fields can be generated by the difference of charged defect densities between top and bottom interfaces.
#PZT #CVD #Fatigue #Electrode #Charged defectno seedstrong #100)TiOx seedweak #100)500nm #b) #a)200nmdomain amplitude imagetopographyno seedstrong #100)TiOx seed weak #100)

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/ / 90 o domain reorientation and electric-field-induced strain of tetragonal lead zirconate titanate ceramics 1997.184 Transactions on Electrical and Electronic Materials N google schola / 1988. / Metalorganic chemical vapor deposition of PbTiO3 thin films 53 : 1702 ~ google schola / 1990. / Fatigue and switching in ferroelectric memories 68 : 5783 ~ google schola / 1993. / Film thickness dependence of dielectric property and crystal structure of PbTiO3 film prepared on Pt/SiO2/Si substrate by metal organic chemical vapor deposition 3 google schola / 1994. / Electronic domain pinning in Pb O3 thin films and its role in fatigue 65 : 1018 ~ google schola

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