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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제5호
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 214 - 220 (7page)
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The ferroelectric properties of the Pt/PZT(Pb(Zr,Ti)O3)/Pt capacitors are severely degraded when they are annealed in hydrogen-containing environment. Hydrogen atoms created by the catalytic reaction of Pt top electrode during annealing in hydrogen ambient penetrate into PZT films and generate oxygen vacancies by the reduction of the PZT films, which is likely to cause the degradation. The degree of hydrogen-induced degradation and the direction of voltage shift in P-E curves of the pre-poled PZT capacitors after annealing in hydrogen ambient is dependent on the polarity of the pre-poling voltage. This implies that oxygen vacancies causing hydrogen-induced degradation are generated by hydrogen ions having a polarity. The degraded ferroelectricity of the PZT capacitors can be effectively recovered by the shift of oxygen vacancies toward the Pt top electrode interface during post-annealing in oxygen environment with applying negative unipolar stressing.
목차
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참고문헌 (12)
참고문헌 신청
/ 1989. / Ferroelectric memories 246 : 1400 ~
/ 1994. / Photoinduced hysteresis changes and optical storage in (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin-films and ceramics 76 : 4305 ~
/ 1996. / Imprint of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin films with various crystalline dualities 68 : 484 ~
/ 1996. / Principles of adsorption and reaction on solid surface : 731 ~
/ 1997. / Analysis of the degradation of PZT and SrBi2Ta2O9 thin films with a reductive process 16 : 29 ~
/ 1994. / Photoinduced hysteresis changes and optical storage in (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin-films and ceramics 76 : 4305 ~
/ 1996. / Imprint of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin films with various crystalline dualities 68 : 484 ~
/ 1996. / Principles of adsorption and reaction on solid surface : 731 ~
/ 1997. / Analysis of the degradation of PZT and SrBi2Ta2O9 thin films with a reductive process 16 : 29 ~
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