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한국생산제조학회 한국생산제조학회 학술발표대회 논문집 한국공작기계학회 2009 춘계학술대회 논문집
발행연도
2009.5
수록면
141 - 146 (6page)

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Polishing process of Si wafer is a momentous stage during the semiconductor process of manufacture. A surface condition of fabricated Si wafer influences in inferiority rate of final semiconductor products. Among the major factors of wafer polishing process, polishing pad surface roughness and a degree of plastic deformation have an effect of polished wafer surface quality. A pad should be maintained its machining ability during the polishing process. However, capability of pad is reduced when polishing time is increased. Dressing and conditioning process on a polishing pad is needed for the preservation of pad surface condition. In this study, an influence of dressing defect was investigated during the Si wafer polishing process. When the dressing process was not supplied, pad surface quality was analyzed by using SEM images, pad surface roughness variation and temperature variation on the polishing pad. And the relationship between Si wafer polishing pad lifetime and dressing defect was evaluated.
#Si wafer(실리콘 웨이퍼) #Pad lifetime(패드 수명) #Dressing defect(드레싱 결함) #Polising process(연마 공정)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실리콘 웨이퍼 연마
3. 실험방법 및 구성
4. 실험결과 및 분석
5. 결론
후기
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