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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 1,014 - 1,017 (4page)
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In this study, we studied the nature of thin films formed by holographic photodoping chalcogenide thin films with for use in programmable metallization cell devices(PMC), a type of ReRAM. We formatted straight conduction pathway from the internal interferences of the diffraction gratings which is builded by the holographic lithography method. We investigated the resistance change of solid-electrolyte chalcogenide thin films varied in the applied voltage bias direction from about 1 MΩ to several hundreds of Ω. The switching characteristics of the devices applied holographic lithography method was more improved than ultraviolet exposure condition. As a result of improved resistance change effects, we can analogize that the diffraction gratings is a kind of pattern for straight conduction pathway formation inside the chalcogenide thin films.
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C. H. Yeo / 2005 / Electrical erasing of holographic grating in amorphous chalcogenide thin films / Jpn. J. Appl. Phys. 44 (7B) : 5769 ~
J. I. Park / 2003 / Polarization dependence of holographic grating in chalcogenide film / Jpn. J. Appl. Phys. 42 (8) : 5090 ~
M. Mitkova / 2002 / Silver incorporation in Ge-Se glasses used in programmable metallization cell devices / J. Non-Cryst. Solids 299-302 : 1023 ~
M. N. Kozicki / 2005 / Nanoscale memory elements based on solid state electrolytes / IEEE Trans. Nanotechnology 4 (3) : 331 ~
최혁 / 2007 / Programmable Metallization Cell 응용을 위한 Ag-doped 칼코게나이드 박막의 전기적 저항 변화 특성 / 전기전자재료학회논문지 20 (12) : 1022 ~ 1026
J. I. Park / 2003 / Polarization dependence of holographic grating in chalcogenide film / Jpn. J. Appl. Phys. 42 (8) : 5090 ~
M. Mitkova / 2002 / Silver incorporation in Ge-Se glasses used in programmable metallization cell devices / J. Non-Cryst. Solids 299-302 : 1023 ~
M. N. Kozicki / 2005 / Nanoscale memory elements based on solid state electrolytes / IEEE Trans. Nanotechnology 4 (3) : 331 ~
최혁 / 2007 / Programmable Metallization Cell 응용을 위한 Ag-doped 칼코게나이드 박막의 전기적 저항 변화 특성 / 전기전자재료학회논문지 20 (12) : 1022 ~ 1026
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