Solid Electrolytes Characteristics Based on Cu-Ge-Se for Analysis of Programmable Metallization Cell

남기현; 정홍배

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자료유형: 학술저널

저자정보: 남기현 정홍배

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제6호

발행연도: 2008.1

수록면: 227 - 230 (4page)

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2008

Characteristics research of Cu-doped Programmable Metallization Cell

남기현 , 구용운 , 정홍배 대한전기학회 학술대회 논문집 2008.07 학술대회자료

Solid Electrolytes Characteristics Based on Cu-Ge-Se for Analysis of Programmable Metallization Cell

남기현 , 정홍배 Transactions on Electrical and Electronic Materials 2008.01 학술저널

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Programmable Metallization Cell (PMC) Random Access Memory is based on the electrochemical growth and removal of electrical nanoscale pathways in thin films of solid electrolytes. In this study, we investigated the nature of thin films formed by the photo doping of copper ions into chalcogenide materials for use in programmable metallization cell devices. These devices rely on metal ions transport in the film so produced to create electrically programmable resistance states. The results imply that a Cu-rich phase separates owing to the reaction of Cu with free atoms from chalcogenide materials.

#Programmable metallization cell #Solid electrolyte #Super-ionic region #Chalcogenide

참고문헌 (7)

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J. Hajto / 1991 / Interference grating fabrication in spincoated As2S3 films / Thin Solid Films 200 : 229 ~

M. N. Kozicki / 1991 / Pass - a chalcogenide-based lithography scheme for I.C. fabrication / J. Non-Cryst. Solids 137-138 : 1341 ~

M. N. Kozicki / 2004 / Non-volatile memory based on solid electrolytes / Proceedings of the 2004 Non- Volatile Memory Technology Symposium : 10 ~

M. N. Kozicki / 2005 / Nanoscale memory elements based on solid state electrolytes / IEEE Trans. Nanotechnology 4 (3) : 331 ~

R. Symanczyk / 2003 / Electrical characterization of solid state ionic memory elements / Proceedings of the 2003 Non-Volatile Memory Technology Symposium : 17 ~ 1

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