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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제2호
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 73 - 78 (6page)
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The crystallization temperature in GeTe solid electrolyte films was improved by in situ-nitrogen doping by rf magnetron co-sputtering technique at room temperature. The crystallization temperature of 250 oC in electrolyte films without nitrogen doping increased by approximately 300 oC, 350 oC, and above 400 oC in films deposited with nitrogen/argon flow ratios of 10, 20, and 30 %, respectively. A PMC memory device with Ge45Te55 solid electrolytes deposited with nitrogen/argon flow ratios of 20 % shows reproducible memory switching characteristics based on resistive switching at threshold voltage of 1.2 V with high Roff/Ron ratios. Nitrogen doping into the silver saturated GeTe electrolyte films improves the crystallization temperature of electrolyte films and does not appear to have a negative impact on the switching characteristics of PMC memory devices.
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/ 1998. / Ion dynamics in superionic chalcogenide glasses studied in large frequency and temperature ranges 105 : 139 ~
/ 2002. / Nanoscale phase separation in Ag-Ge-Se glasses 63 : 155 ~
/ 2002. / Silver incorporation in Ge-Se glasses used in programmable metallization cell devices 299-302 : 1023 ~
/ 2003. / Morphology of electrochemically grown silver deposits on silver-saturated Ge-Se thin films 326/327 : 425 ~
/ 2004. / Information storage using nanoscale electrodeposition of metal in solid electrolytes 34/3-6 : 459 ~
/ 2002. / Nanoscale phase separation in Ag-Ge-Se glasses 63 : 155 ~
/ 2002. / Silver incorporation in Ge-Se glasses used in programmable metallization cell devices 299-302 : 1023 ~
/ 2003. / Morphology of electrochemically grown silver deposits on silver-saturated Ge-Se thin films 326/327 : 425 ~
/ 2004. / Information storage using nanoscale electrodeposition of metal in solid electrolytes 34/3-6 : 459 ~
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