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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제3권 제2호
발행연도
2002.1
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The Cd1-xZnxTe film was fabricated by thermal evaporation for the flat-panel X-ray detector. The stoichimetric ratio and the crystal structure of a polycrystalline Cd1-xZnxTe film were investigated by EPMA and XRD, respectively. The leakage current and X-ray sensitivity of the fabricated films were measured to analyze the X-ray response characteristic of Zn in the polycrystalline CdZnTe thin film. The leakage current and the output charge density of Cd0.7Zn0.3Te thin film were measured to 0.37 nA/cm2 and 260 pC/cm2 at an applied voltage of 2.5 V/㎛, respectively. Experimental results showed that the increase of Zn doping rates in Cd1-xZnxTe detectors reduced the leakage current and improved the signal to noise ratio significantly.
#CdZnTe detectors #digital radiography #leakage current #x-ray sensitivity

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