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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제4권 제5호
발행연도
2003.1
수록면
15 - 18 (4page)

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The Cd1-xZnxTe film was produced by thermal evaporation for the flat-panel X-ray detector. The crystal structure and the surface morphology of polycrystalline Cd1-xZnxTe film were examined using XRD and SEM, respectively. The leakage current and X-ray sensitivity of the fabricated films were measured to analyze the X-ray response characteristic of Zn in a polycrystalline CdZnTe thin film. The leakage current and the output charge density of Cd0.7Zn0.3Te thin film were measured to 0.31 nA/cm2 and 260 pC/cm2 at an applied voltage of 2.5 V/㎛, respectively. Experimental results showed that the increase of Zn doping rates in Cd1-xZnxTe detectors reduced the leakage current and improved the X-ray sensitivity significantly. The leakage current was drastically diminished by the formation of thin parylene layer in the Cd0.7Zn0.3Te detector.
#ㅇ #CdZnTe detectors #Digital radiography #Leakage current #X-ray sensitivity #Parylene layer

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