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Strained-Si PMOSFET에서 디지털 및 아날로그 성능의 캐리어 방향성에 대한 의존성
전자공학회논문지-SD
2010 .08
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )
전자공학회논문지-A
1993 .08
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1993 .09
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
전자공학회논문지-SD
2004 .07
δ 도핑된 Si0.8Ge0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )
전자공학회논문지-A
1995 .06
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )
한국통신학회논문지
1998 .11
DC and RF Characteristics of Si0.8Ge0.2 pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise
[ETRI] ETRI Journal
2003 .06
직류 및 교류스트레스 조건에서 발생된 Hot-Carrier가 PMOSFET의 누설전류에 미치는 영향 ( Hot-Carrier Induced GIDL Characteristics of PMOSFETs under DC and Dynamic Stress )
전자공학회논문지-A
1993 .12
게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
Hot-Carrier 스트레스에 의하여 발생된 계면상태가 PMOSFET의 밴드간 터널링 전류에 미치는 영향 ( The Effect of Interface State ( Nit ) Generated by Hot-Carrier Stress on GIDL Current of PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Deep Submicrometer PMOSFET의 Hot Carrier 현상과 소자 노쇠화 ( Hot Carrier Effects and Device Degradation in Deep Submicrometer PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1996 .04
BF2 이온 주입된 P 다결정실리콘 게이트 PMOSFET의 Hot-Carrier 효과 ( Hot-Carrier Effect of BF2 Implanted p Polysilicon Gate PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
고온에서 PD-SOI PMOSFET의 소자열화
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Hot Electron Induced Channel Shortening Length Model in PMOSFET’s
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )
전자공학회논문지-A
1994 .11
BF2 이온 주입한 표면 채널 LDD PMOSFET의 Hot-Carrier 효과 ( Hot-Carrier Effects of BF3 Ion-Implanted Surface-Channel LDD PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1991 .12
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