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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.8
- 수록면
- 23 - 28 (6page)
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본 논문에서는 각각 다른 캐리어 방향성을 가지는 strained-silicon PMOSFET에서 소자의 디지털 및 아날로그 성능을 비교 평가 하였다. 캐리어 방향이 〈100〉을 갖는 소자의 경우 이동도 향상에 의해서 〈110〉방향의 소자 보다 우수한 드레인 구동 전류 및 출력저항 특성을 보이지만, NBTI 신뢰성과 소자의 matching 특성은 반대로 다소 열화 됨을 확인 하였다. 따라서 나노미터급 CMOSFET에서 캐리어 방향성을 이용한 이동도 향상 기술의 적용을 위해서는 DC 성능을 비롯한 신뢰성 및 아날로 그 특성을 모두 고려하는 것이 반드시 필요하다고 할 수 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - S.K.Chun / 1992 / Effective mass and mobility of holes in strained Si Ge layers on(001)Si Ge substrate / IEEE Trans. Electron Devices 39 : 2153 ~
2. [학술지(정기간행물)] - R.J.P.Lander / 1997 / Study of hall and effective mobilities in pseudomorphic Si1-x Gex p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors at room temperature and 4.2 K / J. Appl. Phys 82 : 5210 ~
3. [기타자료] - P.C.Bai / 2004 / A 65 nm logic technology featuring 35nm gate lengths, enhanced channel strain / IEDM Tech. Dig : 657 ~
4. [기타자료] - M.T.Currie / 2004 / Strained silicon:engineered substrates and device integration / ICICDT 2004, : 261 ~ 268
5. [기타자료] - T.Ghani / 2003 / A 90 nm High Volume Manufacturing Logic Technology Featuring Novel 45 nm Gate Length Strained Silicon CMOS Transistors / IEDM Tech. Dig : 297 ~
2. [학술지(정기간행물)] - R.J.P.Lander / 1997 / Study of hall and effective mobilities in pseudomorphic Si1-x Gex p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors at room temperature and 4.2 K / J. Appl. Phys 82 : 5210 ~
3. [기타자료] - P.C.Bai / 2004 / A 65 nm logic technology featuring 35nm gate lengths, enhanced channel strain / IEDM Tech. Dig : 657 ~
4. [기타자료] - M.T.Currie / 2004 / Strained silicon:engineered substrates and device integration / ICICDT 2004, : 261 ~ 268
5. [기타자료] - T.Ghani / 2003 / A 90 nm High Volume Manufacturing Logic Technology Featuring Novel 45 nm Gate Length Strained Silicon CMOS Transistors / IEDM Tech. Dig : 297 ~
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