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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제7호
발행연도
2003.1
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SiC has been an useful material for the high voltage, high temperature, and high frequency devices, however, the required high process temperature to activate the implanted p-type dopants has hindered further developments. In this study, we report, for the first time, on the laser activation of implanted Al and non-alloyed Mo ohmic contacts and its application to MOSFET fabrication. The contact and sheet resistance measured from CTLM patterns have decreased by increasing laser power, and the lowest values are 3.9 KΩ/□ and 1.3 × 10-3 Ω-cm2 , respectively, at the power density of 1.45 J/cm2. The n-MOSFETs fabricated on laser activated p-well exhibit well-behaved I-V characteristics and threshold voltage reduction by reverse body voltage. These results proves that the laser process for implant activation is an alternative low temperature technology applicable to fabricate SiC devices.
#Laser activation #SiC #Mo #non-alloyed ohmic contact

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