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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제11호
발행연도
2008.1
수록면
968 - 972 (5page)

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Ni/Ti/Al multilayer system ('/' denotes the deposition sequence) was tested for low-resistance ohmic contact formation to Al-implanted p-type 4H-SiC. Ni 30 nm / Ti 50 nm / Al 300 nm layers were sequentially deposited by e-beam evaporation on the 4H-SiC samples which were implanted with Al (norminal doping concentration = 4 x 1019 cm-3) and then annealed at 1700 ℃ for dopant activation. Rapid thermal anneal (RTA) temperature for ohmic contact formation was varied in the range of 840～930 ℃. Specific contact resistances were extracted from the measured current vs. voltage (I-V) data of linear- and circular transfer length method (TLM) patterns. In constrast to Ni contact, Ni/Ti/Al contact shows perfectly linear I-V characteristics, and possesses much lower contact resistance of about 2∼3 x 10-4 Ωㆍ㎠ even after low-temperature RTA at 840 ℃, which is about 2 orders of magnitude smaller than that of Ni contact. Therefore, it was shown that RTA temperature for ohmic contact formation can be lowered to at least 840 ℃ without significant compromise of contact resistance. X-ray diffraction (XRD) analysis indicated the existence of intermetallic compounds of Ni and Al as well as NiSi1-x, but characteristic peaks of Ti₃SiC₂, a probable narrow-gap interfacial alloy responsible for low-resistance Ti/Al ohmic contact formation, were not detected. Therefore, Al in-diffusion into SiC surface region is considered to be the dominant mechanism of improvement in conduction behavior of Ni/Ti/Al contact.
#SiC #Ohmic contact #p-type #Ni #Ti #Al

목차

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