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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제8호
발행연도
2004.1
수록면
859 - 865 (7page)

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LaNiO3(LNO) thin films on (100) Si substrates are prepared by sol-gel method on heat treatment conditions, such as heat transfer direction, pyrolysis and annealing process, and annealing temperatures and times. The effect of heat treatment conditions on the (100) orientations, structures and resistances of the thin films are investigated by XRD, SEM(FESEM), and a four probe method. Highly (100) orientation factor(0.97), a pseudocubic crystalline structure with a dense and uniform microstructure could be formed by the following conditions : 1) the heat transfer direction is from Si substrate to LNO, 2) the pyrolysis and annealing process are alternated, 3) the annealing temperature is 650 ℃ and 4) the annealing times is 3 minutes. The sheet resistance of thin films decreased with increasing of a annealing temperature and time, and a number of coating.
#Orientation #LaNiO3 #Thin film #Sol-gel

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참고문헌 (15)

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/ 1952. / X-ray line broadening from filed aluminium and wolfram 1 (1) : 22 ~ google schola / 1966. / Preparation of perovskite conductive LaNiO3 films by metalorganic decomposition 68 (10) : 4 ~ google schola / 1969. / Thin Film Phenomena : 345 ~ google schola / 1976. / Introduction to Ceramics : 381 ~ google schola / 1994. / Domain formation and strain relaxation in epitaxial ferroelectric heterostructures 49 (21) : 14865 ~ google schola

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