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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 162 - 165 (4page)
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본 논문은 동시진공증발법(co-evaporation method)으로 기판온도(substrate temperature)를 100℃∼400℃로 변화시키면서 CuInSe2박막을 제작하여 3×10-4 Pa의 진공에서 300℃, 1시간동안 열처리를 하였다. 기판온도 100℃에서 열처리 후(after-annealing)의 XRD 관찰 결과는 이원화화합물이 제거되었으며 단상(single-phase)의 CuInSe2막이 형성되었고 200℃에서는 큰 변화가 없으며 단지 피크의 세기가 변화된 것으로 관찰되었다. 그리고 열처리 후 상황에서는 박막의 결정구조가 개선되어 이동도(mobility)가 증가하여 전도도(conductivity)가 증가되고 저항이 작아진 것으로 관찰되었다. 기판온도가 200℃와 300℃ 일때 열처리 전(before-annealing)보다 열처리 후(after-annealing)가 낮게 측정되었으며 각각 1.534 Ω/□와 1.554 Ω/□로 측정되었으며 비저항(resistivity)은 각각 1.76×10-6 Ω·㎝, 1.72×10-6 Ω·㎝낮게 측정되었다. 흡수스펙트럼 측정에서는 열처리 전⦁후의 차이점이 발견되지 않았다. 이것은 열처리과정이 박막의 두께에 영향을 주지 않는 것으로 알 수가 있었다.
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