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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제6호
발행연도
2008.1
수록면
552 - 555 (4page)

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The purpose of this study was to find a best condition of fabricating lead zirconate thin film by sol-gel method, especially to find mol ratio and post annealing temperature. Lead zirconate thin film was made by spin coating method. The ratios of Pb and Zr of precursors were 1:0.8, 1:1.0, and 1:1.2. Annealing temperature of films were 600 ℃, 700 ℃, and 800 ℃ for 1 minute. Crystal structure was observed from XRD and antiferroelectricity was observed from hysteresis curves. The optimum mol ratio of Pb:Zr is 1:0.8 and annealing temperature is 800 ℃.

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