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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 325 - 331 (7page)
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In this study, the inter-metal dielectric material of FSG was changed by low-k material in 0.13 ㎛ foundry-compatible technology (FCT) device process based on fluorinated silicate glass (FSG). Black diamond (BD) was used as a low-k material with a dielectric constant of 2.95 for optimization and yield-improvement of the low-k based device process. For yield-improvement in low-k based device process, some problems such as photoresist (PR) poisoning, damage of low-k in etch/ash/cleaning process, and chemical mechanical planarization (CMP) delamination must be solved. The PR poisoning was not observed in BD based device. The pressure in CMP process decreased to 2.8 psi to remove the CMP delamination for Cu-CMP and USG-CMP. H2O ashing process was selected instead of O2 ashing process due to the lowest condition of low-k damage. NE14 cleaning after ashing process for the removal of organic residues in vias and trenches was employed for wet process instead of dilute HF (DHF) process. The similar-state of SRAM yield was obtained in Cu/low-k process compared with the conventional 0.13 ㎛ FCT device by the optimization of these process conditions.
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S. Tokitoh / 2004 / Enhancement in electrical via- yield of porous low-k/Cu integration by reducing CMP pressure / IITC : 130 ~
W. W. Lee / 1997 / Low-dielectric- constant materials for ULSI interlayer- dielectric applications / MRS Bull. 22 (10) : 19 ~
Y. S. Tan / 2004 / Characterization of low-k dielectric trench surface cleaning after a fluorocarbon etch / Thin Solid Films 462-463 : 250 ~
W. W. Lee / 1997 / Low-dielectric- constant materials for ULSI interlayer- dielectric applications / MRS Bull. 22 (10) : 19 ~
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