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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 512 - 518 (7page)
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In this paper, we investigated the deposition of pentacene thin film on a large area substrate by Organic Vapor Phase Deposition(OVPD) and applied it to fabrication of Organic Thin Film Transistor(OTFT). We extracted the optimum deposition conditions such as evaporation temperature of 260 ℃, carrier gas flow rate of 10 sccm and chamber vacuum pressure of 0.1 torr. We fabricated 72 OTFTs on the 4 inch size Si wafer, which produced the average mobility of 0.1±0.021 cm2/Vs, average subthreshold slope of 1.04 dec/V, average threshold voltage of -6.55 V, and off-state current is 0.973 pA/mm. The overall performance of pentacene TFTs over 4 " wafer exhibited the uniformity with the variation less than 20 %. This proves that OVPD is a suitable methode for the deposition of organic thin film over a large area substrate.
목차
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/ 1998. / Organic vapor phase deposition 10 (8) : 81505 ~
/ 2001. / Material transport regimes and mechanisms for growth of molecular organic thin films using low-presure organic vapor phase deposition 89 (2) : 1470 ~
/ 2002. / 펜타센 박막의 두께와 전극위치가 펜타센 TFT 성능에 미치는 영향 39 (12) : 1001 ~
/ 2003. / Micropattering of small molecular weight organic semicoonductor thin films using organic vapor phase deposition 93 (7) : 4005 ~
/ 2003. / 열 CVD법으로 증착된 SnO2 박막의 미세구조와 전기적 특성 16 (5) : 441 ~
/ 2001. / Material transport regimes and mechanisms for growth of molecular organic thin films using low-presure organic vapor phase deposition 89 (2) : 1470 ~
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/ 2003. / Micropattering of small molecular weight organic semicoonductor thin films using organic vapor phase deposition 93 (7) : 4005 ~
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