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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 1,063 - 1,066 (4page)
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In this study, we fabricated pentacene organic thin film trasistors(OTFTs) which used aluminum oxide as the gate insulator. Aluminum oxide for OTFTs was deposited on glass substrate with a different deposition rate by E-beam evaporation. In case of the deposition rate of 0.1 Å, the fabricated aluminum oxide gate insulating OTFT showed a threshold voltage of -1.36 V, an on/off current ratio of 1.9×103 and field effect mobility 0.023 ㎠/Vs.
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A. Dodabalapur / 1998 / Organic smart pixels / Appl. Phys. Lett. 73 : 142 ~
D. A. Muller / 1999 / The electronic structure at the atomic scale of ultrathin gate oxides / Nature 399 : 758 ~
H. Klauk / 1999 / Pentacene organic thin-film transistors for circuit and display applications / IEEE Trans. Electron. Dev. 46 : 1258 ~
L. Niinisto / 2004 / Advanced electronic and optoelectronic materials by atomic layer deposition: An overview with special emphasis on recent progress in processing of high-k
M. Mizukami / 2006 / Flexible AM OLED panel driven by bottom-contact OTFTs / IEEE Electron. Device Lett. 27 : 249 ~
D. A. Muller / 1999 / The electronic structure at the atomic scale of ultrathin gate oxides / Nature 399 : 758 ~
H. Klauk / 1999 / Pentacene organic thin-film transistors for circuit and display applications / IEEE Trans. Electron. Dev. 46 : 1258 ~
L. Niinisto / 2004 / Advanced electronic and optoelectronic materials by atomic layer deposition: An overview with special emphasis on recent progress in processing of high-k
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