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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제1호
발행연도
2002.1
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In this study, metal/ZnO contacts were thermally annealed at different temperatures (as-dep., 400 ℃, 600 ℃, 800 ℃, 1000 ℃) for the investigation of electrical properties, and surface and interface characteristics. The analysis of the element composition and the chemical bonding state of the surface was made by the XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy). An attempt was made to establish the electrical property-microstructure relationship for the (Ti, Au)/ZnO. The Ti/ZnO contact exhibits an ohmic characteristics with a relatively high contact resistance of 4.74×10-1 Ω㎠ after an annealing at 400 ℃. The contact showed a schottky characteristics when the samples were annealed at higher temperature than 400 ℃. The transition from the ohmic to schottky characteristics was contributed from the formation of the oxide layers as was confirmed by the peaks for O-O and Ti-O bondings in XPS analysis. For the Au/ZnO contact the lowest contact resistance was obtained from the as-deposited sample. The resistance was slowly increased with annealing temperature up to 600 ℃. The ohmic characteristics were maintained even for 600 ℃ annealing. The XPS analysis showed that the Au-O intensity was dramatically decreased with temperature above 600 ℃.
#ZnO #zinc oxide) #TLM #transmission line measurement) #current-voltage #XPS #x-ray photoelectron spectroscopy) #band bending

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