EEPROM 셀에서 폴리실리콘 플로팅 게이트의 도핑 농도가 프로그래밍 문턱전압에 미치는 영향

장성근; 김윤장

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자료유형: 학술저널

저자정보: 장성근 김윤장

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제2호

발행연도: 2007.1

수록면: 113 - 117 (5page)

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We have investigated the effects of doping concentration in polysilicon floating gate on the endurance characteristics of the EEPROM cell having the structure of spacer select transistor. Several samples were prepared with different implantation conditions of phosphorus for the floating gate. Results show the dependence of doping concentration in polysilicon floating gate on performance of EEPROM cell from the floating gate engineering point of view. All of the samples were endured up to half million programming/erasing cycle. However, the best program-VT characteristic was obtained in the cell doped at the dose of 1×1015 /cm2.

#EEPROM #Select transistor #Endurance #Floating gate #Program-VT

참고문헌 (10)

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D. M. Carthy / 2003 / A novel CMOS compatible top-floating-gate EEPROM cell for embedded application / IEEE Trans. Electron Devices 50 (11) : 1708 ~

H. W. Tsai / 2003 / “The performance and reliability enhancement of ETOX p-channel flash EEPROM cell with p-doped floating-gate”, VLSI Tech. digest paper : 36 ~

J. Caywood / 2002 / A novel nonvolatile cell suitable for both flash and byte-writable applications / IEEE Trans. Electron Devices 49 (10) : 802 ~

J. H. Lee / 2004 / A novel EEPROM cell for smart card application / Microelectron. Eng. 71 : 283 ~

J. Lee / 1999 / The effect of deuterium passivation at different steps of CMOS processing on lifetime improvements of CMOS transistors / IEEE Trans. Electron Devices 46 (8)

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