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Epitaxially grown GaN layers have a high surface state density, which typically results in a surface leakage current and a pho-toresponse in undesirable wavelengths in GaN optoelectronic devices. Surface passivation is, therefore, an important process necessaryto prevent performance degradation of GaN UV photodetectors. In this study, we propose oxygen-enhanced thermal treatment as a sim-ple surface passivation process without capping layers. The GaN UV photodetector fabricated using a thermal annealing process exhibitsimproved electrical and photoresponsive characteristics such as a reduced dark current and an enhanced photoresponsive current andUV-to-visible rejection ratio. The results of this study show that the proposed surface passivation method would be useful to enhancethe reliability of GaN-based optoelectronic devices.
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C. K. Wang / 2005 / High detectivity GaN metal-semiconductor-metal UV photodetectors with transparent tungsten electrodes / Semicond. Sci. Technol 20(6):485~489
T. K. Ko / 2006 / AlGaN/GaN Schottky-barrier UV-B bandpass photodetectors with ITO contacts and LT-GaN cap layers / Semicond. Sci. Technol 21(8):1064~1068
M. L. Tu / 2007 / GaN UV photodetector by using transparency antimony-doped tin oxide electrode / Thirteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 298:744~747
P. C. Chang / 2004 / AlGaN/GaN MSM photodetectors with photo-CVD annealed Ni/Au semi-transparent contacts / Semicond. Sci. Technol 19(12):1354~1357
K. H. Lee / 2011 / Characterization of AlGaN-GaN Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors with a Low-Temperature AlGaN Interlayer / IEEE Sensors Journal 9(6):723~727
T. K. Ko / 2006 / AlGaN/GaN Schottky-barrier UV-B bandpass photodetectors with ITO contacts and LT-GaN cap layers / Semicond. Sci. Technol 21(8):1064~1068
M. L. Tu / 2007 / GaN UV photodetector by using transparency antimony-doped tin oxide electrode / Thirteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 298:744~747
P. C. Chang / 2004 / AlGaN/GaN MSM photodetectors with photo-CVD annealed Ni/Au semi-transparent contacts / Semicond. Sci. Technol 19(12):1354~1357
K. H. Lee / 2011 / Characterization of AlGaN-GaN Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors with a Low-Temperature AlGaN Interlayer / IEEE Sensors Journal 9(6):723~727
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