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자료유형
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저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제13권 제4호
발행연도
2004.1
수록면
264 - 269 (6page)

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This paper describes on an advanced technology of 3C-SiC/Si(100) wafer direct bonding using PECVD oxide to intermediate layer for SiCOI(SiC-on-Insulator) structure this is because it has an attractive characteristics such as a lower thermal stress, deposition temperature, more quick deposition rate and higher bonding strength than common used poly-Si and thermal oxide. The PECVD oxide was characterized by ATR-FTIR. The bonding strength with variation of HF pre treatment condition was measured by tensile strength measurement system. After etch-back using TMAH solution, roughness of 3C-SiC surface crystallinity and bonded interface was measured and analyzed by AFM, XRD and SEM
#SiCOI #3C-SiC #etch-back

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