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The SnO2 thin film sensors were fabricated by a thermal oxidation method. SnO2 thin film sensors were treated in N2 atmosphere. The sensors with O2 treatment after N2 treatment showed 70% sensitivity for 1ppm H2S gas, which is higher than the sensors with only O2 treatment. The Ni metal was evaporated on Sn thin film on the Al2O3 substrate. And the sensor was heated to grow the Sn nanowire in the tube furnace with N2 atmosphere. Sn nanowire was thermally oxidized in O2 environments. The sensitivity of SnO2 nanowire sensor was measured at 500ppb H2S gas. The selectivity of SnO2 nanowire sensor compared with thin film and thick film SnO2 was measured for H2S, CO, and NH3 in this study.
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/ 1991. / Grain size effects on gas sensitivity of porous SnO2-based elements 3 : 147 ~ 155
/ 1992. / Sensitivity to reducing gas as a function of energy barrier in SnO2 thick-film gas sensor 7 : 717 ~ 720
/ 1999. / Direct growth of aligned open carbon nanotubes by chemical vapor deposition 299 (1) : 97 ~ 102
/ 2000. / Electrical and CO gas sensing properties of layered ZnO-CuO sensor 69 : 120 ~ 126
/ 2000. / Synthesis of bamboo-shaped multiwalled carbon nanotubes using thermal chemical vapor deposition 323 (6) : 560 ~ 565
/ 1992. / Sensitivity to reducing gas as a function of energy barrier in SnO2 thick-film gas sensor 7 : 717 ~ 720
/ 1999. / Direct growth of aligned open carbon nanotubes by chemical vapor deposition 299 (1) : 97 ~ 102
/ 2000. / Electrical and CO gas sensing properties of layered ZnO-CuO sensor 69 : 120 ~ 126
/ 2000. / Synthesis of bamboo-shaped multiwalled carbon nanotubes using thermal chemical vapor deposition 323 (6) : 560 ~ 565
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