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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제25권 제4호
발행연도
2018.1
수록면
83 - 88 (6page)

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Cu/Ni/Sn-Ag 미세범프 접합 공정후 Ni/Sn-Ag접합계면에 잔류한 비전도성 필름(non-conductive film, NCF) trap 형성이 전기적 신뢰성에 미치는 영향을 분석하기 위해 온도 150oC, 전류밀도 1.5 × 105 A/cm2 조건에서 electromigration (EM) 신뢰성 실험을 진행하였다. EM 신뢰성 실험 결과, NCF trap이 거의 없는 Cu/Ni/Sn-Ag 미세범프가 NCF trap 이형성된 미세범프 보다 약 8배 긴 EM 수명을 보여주고 있다. 저항 변화 및 손상계면에 대한 미세구조 분석결과, Ni/Sn- Ag접합계면에 공정 이슈에 의해 형성된 NCF trap이 Ni-Sn 금속간화합물/Sn-Ag솔더계면에 보이드를 유발하여 EM 원자확산을 방해하기 때문에 빠른 보이드 성장에 의한 전기적 손상이 일찍 발생하는 것으로 판단된다.

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참고문헌 (28)

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D. W. Kim / 2013 / Material innovation opportunities for 3D integrated circuits from a wireless application point of view / Proc. 63rd Electronic Components and Technology Conference google schola Y. Liu / 2015 / A metastable phase of tin in 3D integrated circuit solder microbumps / Proc. 65th Electronic Components and Technology Conference (ECTC) google schola S. Q. Gu / 2008 / Stackable Memory of 3D Chip Integration for Mobile Applications / Proc. Int. El. Devices Meet google schola M. Liebens / 2018 / Defect earning methodology applied to microbump process at 20 μm pitch and below / Proc. 29th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference google schola 이장희 / 2008 / 플립칩 Sn-3.5Ag 솔더범프의 Electromigration 과 Thermomigration 특성 / 대한금속·재료학회지 46(5):310~314 google schola

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