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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 25 - 29 (5page)
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Reliability and performance in metal gate/high-k device with multiple gate dielectrics were
investigated. MOSFETs with a thin HfSiOx layer on a thermal SiO2 dielectric as gate dielectrics exhibit
excellent mobility and low interface trap density. However, the distribution of threshold voltages of
HfSiOx/SiO2 stack devices were wider than those of SiO2 and HfSiOx single layer devices due to the
penetration of Hf and/or intermixing of HfSiOx with underlying SiO2. The results of TZDB and SILC
characteristics suggested that a certain portion of HfSiOx layer reacted with the underlying thick SiO2
layer, which in turn affected the reliability characteristics.
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B. H. Lee / 1999 / Ultrathin hafnium oxide with low leakage and excellent reliability for alternative gate dielectric application / IEDM Tech. Dig : 133 ~
E. P. Gusev / 2001 / Ultrathin high-k gate stacks for advanced CMOS devices / IEDM Tech. Dig : 451 ~
G .Groeseneken / 1984 / A reliable approach to charge pumping measurements in MOS transistors / IEEE Trans. Electr. Dev 31 : 42 ~
G. D. Wilk / 2001 / High- K gate dielectrics: current status and materials properties considerations / J. Appl. Phys 89 : 5243 ~
H. Iwai / 2004 / Future Semiconductor Manufacturing ? Challenges and Opportunities / IEDM Tech. Dig : 1 ~
E. P. Gusev / 2001 / Ultrathin high-k gate stacks for advanced CMOS devices / IEDM Tech. Dig : 451 ~
G .Groeseneken / 1984 / A reliable approach to charge pumping measurements in MOS transistors / IEEE Trans. Electr. Dev 31 : 42 ~
G. D. Wilk / 2001 / High- K gate dielectrics: current status and materials properties considerations / J. Appl. Phys 89 : 5243 ~
H. Iwai / 2004 / Future Semiconductor Manufacturing ? Challenges and Opportunities / IEDM Tech. Dig : 1 ~
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