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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제15권 제6호
발행연도
2005.1
수록면
234 - 238 (5page)

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Cl2/Ar 유도결합 플라즈마(ICP) 내의 플라즈마 조성, 이온 flux 및 이온 에너지가La3Ga5SiO14 단결정 wafer의 식각속도, 표면 양상 및 화학량론적 조성에 미치는 영향을 조사하였다. 비교적 높은 ICP source power(~1000 W) 또는 높은 Cl2 gas 유량 비율 조건으로부터 최고 약 1600 ?min의 실용적이고 조절이 용이한 식각속도를 확보하였다. 식각된 La3Ga5SiO14 표면은 식각 이전과 비슷하거나 더 낮은 표면 조도 특성을 나타내었으며 식각 공정 전, 후 표면의 화학량론적 조성에 있어서의 변화는 없는 것으로 조사되었다.
#High density plasma #Langasite #SAW filter devices #Cl2/Ar inductively coupled plasma #Chemical mechanical planarization #Dry etching

목차

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참고문헌 (13)

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/ 1992 / ？Present and future trend of cellular mobile communications? Processing on Int？l Symp on SAW Devices for Mobile Communication google schola Cho / 2005 / ？Effects of pH level and slurry particle size on the chemical mechanical planarization of langasite crystal wafer? J google schola Hays / 2000 / ？Surface morphology and removal rate for dry- and wet-etched novel resonator materials? Appl google schola Kan / 1992 / ？LiNbO3 single crystal growth by the continuous charging Czochralski method with Li/Nb ratio control? J google schola Kitamura / 1992 / ？Comparative study of defect structures in lithium niobate with different compositions? J google schola

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