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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 230 - 234 (5page)
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CF4/Ar 및 SF6/Ar 유도결합 플라즈마을 이용하여 ZnO 박막의 고이온밀도 플라즈마 식각을 수행하였다. 10CF4/5Ar, 10SF6/5Ar 유도결합 플라즈마에서 최고 ~1950 Å/min과 ~1400 Å/min의 식각 속도를 확보하였다. 대부분의 조건 하에서식각된 ZnO 표면은 식각 전보다 더 낮은 표면조도 값들을 나타내었다. 10CF4/5Ar 유도결합 플라즈마에서 Ni mask는 ZnO 에 대해 최고 11의 높은 식각 선택도를 나타낸 반면에 Al은 이보다 낮은 1.6~4.7 범위의 식각선택도를 나타내었다.
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A. Tsujiko / 2000 / Selective formation of nanoholes with (100)-face walls by photoetching of n-TiO2 (rutile) electrode, accompanied by increases in water-oxidation photocur
F.R. Blom / 1990 / Thinfilm ZnO as microchemical actuator at low frequencies / Sensors and Actuators 226 : 21 ~ 23
H. Yabuta / 2006 / High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO4 channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering / Appl. Phys. Lett 89 : 112123 ~
H.C. Kim / 2006 / Parallel patterning of nanoparticles via electrodynamic focusing of charged aerosols / Nature Nanotechnology 1 : 117 ~
Jong Cheon Park / 2009 / Anisotropic pattern transfer in SnO2 thin films for the fabrication of nanostructure-based gas sensors / Journal of Ceramic Processing Research 10 (
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