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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제15권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
135 - 140 (6page)

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Thermal-fluid analysis was performed to understand the thermal behavior in the horizontal CVD reactor, thereby, to design a susceptor which has a uniform deposition rate during silicon EPI growing. Four different types of susceptor designs, standard (no hole susceptor), hole #1 (240mm), hole #2 (150mm) and hole #3 (60mm), were simulated by CFD (Computational Fluid Dynamics) tool. Temperature, gas flow, deposition rate and growth rate were calculated and analyzed. The degree of flatness of EPI wafer loaded on the susceptor was computed in terms of silicon growth rate. The simulation results show that the temperature and thermal distribution in the wafer are greatly dependent on inner diameter of hole susceptor and demonstrate that the introduction of hole in the susceptor can degrade wafer flatness. Maximum temperature difference appeared around holes. As the diameter of the hole decreases, flatness of the wafer becomes poor. Among the threes types of susceptors with the hole, optimal design which resulted a good uniform flatness (5%) was obtained when using hole #1.
#CVD #Chemical Vapor Deposition) #Deposition rate #Susceptor design #CFD #Computational Fluid Dynamics) #Uniform flatness

목차

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참고문헌 (13)

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/ 1980 / Numerical heat transfer and fluid flow google schola / 1988 / Properties of SILICON google schola / 1988 / Three-dimensional flow effects in silicon CVD in horizontal reactors google schola / 1990 / Transport phenomena in vertical reactors for metalorganic vapor phase epitaxy 102 : 441 ~ google schola / 1991 / A mathematical model of the hydrodynamics and gas-phase reactions in silicon LPCVD in a single-wafer reactor 138 : 2190 ~ google schola

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