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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 242 - 245 (4page)
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탄화규소의 화학기상증착 중에 두께 균일성을 향상시키기 위하여 평행하게 회전하는 3단 서셉터를 포함하는CVD 장치에 대하여 전산유체역학(CFD) 시뮬레이션을 수행하였다. 실제 증착 실험에서는 단 간의 두께 균일성은 상당히만족스러웠으나 같은 단 위에서는 위치에 따라 두께가 균일하지 못한 3C-SiC 상이 얻어지는 것을 확인하였다. 불균일의 원인으로는 서셉터의 회전 속도에 따른 영향으로 판단되었다. CFD 결과로부터 단 간의 균일성을 향상시키기 위해서는 120도분기 노즐을 주입구에 설치하는 것이 바람직할 것으로 판단되었으며 단 내의 균일도 향상은 회전 속도를 줄임으로써 가능할 것으로 생각된다. 이렇게 제작된 탄화규소가 증착된 흑연 부품은 고경도, 내산화성 및 분진 억제 특성을 갖고 있어서 반도체용 부품으로 사용될 수 있다.
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참고문헌 (10)
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G. Chichignoud / 2007 / Chlorinated silicon carbide CVD revisited forpolycrystalline bulk growth / Surf. Coat. Technol 201 : 8888 ~
K.-S. Cho / 2007 / SiC materials techniquesfor semiconductor production line / Ceramist 10 : 33 ~
R.B. Bird / 2007 / TransportPhenomena / John Wiley & Sons
Y. Yan / 2009 / Kinetic and microstructure ofSiC deposited from SiCl4-CH4-H2 / Chin. J. Chem. Eng 17 : 419 ~
Y.-H. Yun / 1999 / Fabrication of SiC converedgraphite by chemical vapor reaction method (II) / J. Kor. Ceram. Soc 36 : 21 ~
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