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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제14권 제1호
발행연도
2004.1
수록면
6 - 11 (6page)

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The characteristics of interface layer and the effect of bias voltages on the nucleation density and hetroepitaxial growth of diamond films were studied in the hot filament CVD diamond process. Diamond films were deposited on a high speed steel (SKH-51) substrate by bias-assisted hot filament CVD technique with a titanium interlayer. The bias applied for enhancing the emission of electrons from the filament increased the nucleation density and achieving heteroepitaxial growth of CVD diamond. Diamond films obtained at a gas pressure of 20 torr; a bias voltage of 200 V and a substrate temperature of 700oC. Titanium was a suitable element as an interlayer for the diamond deposition on steel because it has high diffusivity of Fe and C as a carbide forming element.
#Bias voltage #Nucleation density #Diamond films #EACVD #Titanium interlayer #Diffusivity

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참고문헌 (13)

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B.V. Spitsyn / 1981 / 　Vapor growth of diamond on diamond and other surfaces　 : 219 ~ google schola Edward N. Farabaugh / 1990 / 　Effects of different CH4-H2 gas compositions on the morphology and growth of diamond grown by hot filament CVD　 : 127 ~ google schola J.I. Choe / 1998 / Synthesis of diamond thin films by hot-filament CVD　 8 : 227 ~ google schola K. Janishowsky / 2003 / Bias enhanced nucleation of diamond on silicon 12 : 336 ~ google schola K.E. Spear / 1989 / 　Diamond-ceramic coating of the future　 : 171 ~ google schola

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