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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제15권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
10 - 15 (6page)

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Microwave plasma CVD 다이아몬드/Ti 박막 성장 시 CH4/H2 가스의 유량비율, chuck bias, microwave power 등이 다이아몬드 박막의 구조적 특성과 입자밀도에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 2~3 CH4 Vol.% 조건일 때 sp3-결합성의 탄소 neutral 들이 우선적으로 형성되고 sp2-결합성의 탄소 neutral 들이 선택적으로 제거됨에 따라 양질의 다이아몬드 박막을 얻을 수 있었으며, 다이아몬드 입자 증착 기구를 해석하였다. Ti 기판에 걸어준 negative chuck bias가 증가함에 따라 다이아몬드 핵생성이 증진되어 다이아몬드 입자 밀도가 증가하였고, 임계 전압은 약 -50 V 임을 확인하였다. 또한, microwave power가 증가함에 따라 미세결정질(micro-crystalline) graphite 층 생성이 제어되고 다이아몬드 층이 형성됨을 확인하였다.
#Diamond/Ti thin film #Microwave plasma CVD #CH4/H2 flow rate ratio #Negative chuck bias #Microwave power #sp3-/sp2-bonded carbon neutral ratio #Micro-crystalline graphite

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참고문헌 (1)

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M.N. Gamo / 1997 / K. Yamamoto ？nucleation and growth of orientad diamond on si (100) : 12 ~ google schola

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