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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김성해 (한양대학교) 이정호 (한양대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제51권 제3호
발행연도
2018.6
수록면
185 - 190 (6page)

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Dopant-free silicon heterojunction solar cells using Transition Metal Oxide(TMO) such as Molybdenum Oxide(MoO<SUB>X</SUB>) and Vanadium Oxide(V₂O<SUB>X</SUB>) have been focused on to increase the work function of TMO in order to maximize the work function difference between TMO and n-Si for a high-efficiency solar cell. One another way to increase the work function difference is to control the silicon wafer resistivity. In this paper, dopant-free silicon heterojunction solar cells were fabricated using the wafer with the various resistivity and analyzed to understand the effect of n-Si work function. As a result, it is shown that the high passivation and junction quality when V₂O<SUB>X</SUB> deposited on the wafer with low work function compared to the high work function wafer, inducing the increase of higher collection probability, especially at long wavelength region. the solar cell efficiency of 15.28% was measured in low work function wafer, which is 34% higher value than the high work function solar cells.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
결과 및 토의
결과
References

참고문헌 (10)

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