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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.6
- 수록면
- 103 - 106 (4page)
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A process for the self-limited layer synthesis (SLS) of WSe₂ on SiO₂ substrates has been developed that provides systematic layer number controllability with micrometer-scale (>90 %) and wafer-scale (~8 cm) uniformity suitable electronic and optoelectronic device applications. This was confirmed by the fabrication and testing of a WSe2 back-gated field effect transistor (FET) using Pd (30 nm) as the contact metal, which exhibited p-type behavior with an on/off ratio of ~106 and a field-effect hole mobility of 2.2 cm2/Vs value, which was higher than has been reported for WSe2-based FETs produced by conventional chemical vapor deposition. On the basis of these results, it is proposed that the SLS method is universally applicable to a range of device applications.
목차
Abstract
I. Introduction
II. Result and Discussion
III. Conclusion
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