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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국과학기술원 정보전자연구소 IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems Vol.2 No.3
- 발행연도
- 2016.10
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
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New designs of FET are proposed with built-in based and all revised transistor for lower resistance of gate and lower capacitances of Cgd to design Millimeter-wave Power Amplifier (PA) for high consistency with simulation. Measured maximum available gain is 9.41dB at 2?m x24 all revised type transistor. The driving voltage of FET is 1.2V and gate voltage is 1V in 65nm normal CMOS process.
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H. Dabag / 2013 / Analysis and design of stacked-FET millimeter-wave power amplifiers / IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 61(4):1543~1556
C. Lee / 2009 / A 18GHz broadband stacked FET power amplifier using 130 nm metamorphic HEMTs / IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 19(12):828~830
M. Fathi / 2010 / A stacked 6.5-GHz 29.6-dBm power amplifier in standard 65-nm CMOS / Proc. IEEE Custom Integr. Circuits Conf., :1~4
C. H. Doan / 2005 / Millimeter-Wave CMOS Design / IEEE Jour. Solid State Circuits 40(1):144~155
G. Dambrine / 1988 / A new method for determining the FET small signal equivalent circuit / IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 36(7):1151~1159
C. Lee / 2009 / A 18GHz broadband stacked FET power amplifier using 130 nm metamorphic HEMTs / IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 19(12):828~830
M. Fathi / 2010 / A stacked 6.5-GHz 29.6-dBm power amplifier in standard 65-nm CMOS / Proc. IEEE Custom Integr. Circuits Conf., :1~4
C. H. Doan / 2005 / Millimeter-Wave CMOS Design / IEEE Jour. Solid State Circuits 40(1):144~155
G. Dambrine / 1988 / A new method for determining the FET small signal equivalent circuit / IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 36(7):1151~1159
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