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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.11
- 수록면
- 253 - 254 (2page)
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The ZnO thin film was growth by atomic layer deposition (ALD) method, which showed the surface defect-formation and limited to control the top gate devices. Our work suggests the self-assembly of molecule (SAM) buffer layer is suitable for tailoring the charge transports in ZnO film by proving the semiconducting behavior of the resistance at interface. We fu ... 전체 초록 보기
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