SiC SBD 적용한 고효율 Bridgeless PFC 컨버터에 대한 연구

전준혁; 김형식; 김희준; 안준선

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자료유형: 학술저널

저자정보: 전준혁 (한양대학교) 김형식 (한양대학교) 김희준 (한양대) 안준선 (오산대학교)

저널정보: 한국정보전자통신기술학회 한국정보전자통신기술학회 논문지 한국정보전자통신기술학회 논문지 제12권 제4호

발행연도: 2019.8

수록면: 449 - 455 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2019

SiC SBD 적용한 고효율 Bridgeless PFC 컨버터에 대한 연구

전준혁 , 김형식 , 김희준 외 1명 한국정보전자통신기술학회 논문지 2019.08 학술저널

2018

SiC SBD를 적용한 Bridgeless PFC Converter의 특성개선

전준혁 , 경신수 , 김희준 대한전기학회 학술대회 논문집 2018.10 학술대회자료

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본 논문은 Bridgeless PFC Converter의 환류 다이오드를 SiC SBD(Schottky Barrier Diode)로 제안하여 고효율화를 달성하였다. 또한 Bridgeless PFC Converter의 동작원리에 대한 설명을 통해 Bridgeless PFC Converter에서 환류 다이오드의 도통 구간을 나타내어 환류 다이오드의 손실에 따른 시스템 손실의 기여도를 검증하였고, SiC SBD 소자의 물성 및 역 회복 특성에 따른 장점을 설명하였으며 턴 온 손실과 턴 오프 손실을 측정하여 효율을 비교 분석하고, 소자 단품 특성을 확인하기 위한 다이오드의 역회복 파형 분석을 통하여 소자의 역회복 손실을 계산하였다. 소자 특성을 고려한 시뮬레이션 결과 값을 도출해내어 실제 시스템의 파형 분석 및 비교를 통해 그 결과 값을 검증하였다. 소자 특성을 고려하기 위하여 PSIM의 Thermal Module을 사용하여 시뮬레이션을 진행하였으며, 그 결과로 턴온 손실 0.6W, 턴 오프 손실 20.6W로 전체 스위칭 손실은 22.2W로 나타났다. 시작품 실험을 통하여 분석한 결과 턴온 손실 0.608W, 턴 오프 손실 21.62W로 전체 스위칭 손실 22.228W의 결과 값을 도출하였고, 두 결과 값의 비교로 실험 방법의 타당성을 입증하였다. 또한 최대 효율 94.58%의 고효율을 달성하였다.

#SiC SBD #Bridgeless PFC Converter #Diode #Switching Loss #Reverse recovery

참고문헌 (13)

참고문헌 신청

Spiazzi, G / 2003 / Performance evaluation of a Schottky SiC power diode in a boost PFC application / IEEE Transactions on Power Electronics 18(6):1249~1253

Takao / 2004 / High di/dt switching characteristics of a SiC Schottky barrier diode / IEEJ Transactions on Industry Applications 124:917~923

B. K. Yu / 2003 / Bridgeless Boost Converter Operates in Boundary Current Mode to Improve Power Factor / Power Electronics Conference :90~94

K. M. Cho / 2004 / High efficiency ZVZCS power factor improvement circuit without bridge for PDP / Power Electronics Conference :704~708

T. H. Kim / 2016 / Bridgeless CRM PFC Converter for Digital Control-Based HID Ballasts / Power Electronics Conference :263~264

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