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논문 기본 정보
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- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.2
- 발행연도
- 2017.4
- 수록면
- 277 - 282 (6page)
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Nickel germanide (NiGe) is one of the most promising alloy materials for source/drain (S/D) of Ge MOSFETs. However, NiGe has limited thermal stability up to 450°C which is a challenge for fabrication of Ge MOSFETs. In this paper, a novel method is proposed to improve the thermal stability of NiGe using Co interlayer. As a result, we found that the thermal stability of NiGe was improved from 450°C to 570°C by using the proposed Co interlayer. Furthermore, we found that current-voltage (I-V) characteristic was improved a little by using Co/Ni/TiN structure after post-annealing. Therefore, NiGe formed by the proposed Co interlayer that is, Co/Ni/TiN structure, is a promising technology for S/D contact of Ge MOSFETs.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
참고문헌 (16)
참고문헌 신청
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