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학술저널
저자정보
신건호 (충남대학교) 이맹 (충남대학교) 이정찬 (충남대학교) 송형섭 (충남대학교) 김소영 (충남대학교 전자공학과) 이가원 (충남대학교) 오정우 (연세대학교) 이희덕 (충남대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제1호
발행연도
2018.1
수록면
6 - 10 (5page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.1.6

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Ni germanide (NiGe)는 Ge MOSFETs의 소스/드레인(source/drain, S/D)에서 발생하는 접촉저항을 감소시키기 위해 가장 유망한 혼합 물질 중 하나이다. 하지만 지속적으로 고성능 MOSFETs을 개발하기 위해서는 NiGe와 doped Ge S/D 영역과의 비접촉저항을 감소시킬 필요가 있다. 본 논문에서는 NiGe와 p-type Ge (p-Ge) 사이의 비접촉저항을 감소시키기 위해 터븀(terbium, Tb) 중간층(inyerlayer)을 적용하여 형성한 NiGe을 제안하고 연구하였다. 전기적 특성을 확인한 결과 Tb 중간층을 적용하여 형성한 NiGe인 경우에 NiGe와 p-Ge 사이의 비접촉저항이 감소되었다. 이러한 비접촉저항 감소 원인을 파악하기 위해 X-ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS)의 분석 방법을 통해서 NiGe의 결정성과 원소 분포에 대해서 분석하였다. 그 결과 Tb의 영향으로 NiGe와 p-Ge 사이에서 붕소(boron, B) 농도의 증가가 비접촉저항 감소의 원인으로 판단되었다.
#Tb #Interlayer #NiGe #Specific contact resistance #Dopant segregation

목차

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참고문헌 (1)

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Jeyoung Kim / 2016 / A Study on Contact Resistance Reduction in Ni Germanide/Ge using Sb Interlayer / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 16(2):210~214 dbpia

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