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2차원 소자 시뮬레이터를 이용한 AC 해석 결과를 토대로 ESD 보호용 소자의 AC 등가회로 모델링을 시도한다. NMOS 보호용 트랜지스터의 AC 등가회로는 다소 복잡한 형태로 모델링되며, 이를 간단히 RC 직렬회로로 모델링할 경우 주파수 영역에 따라 오차가 크게 발생할 수 있음을 설명한다. 또한 싸이리스터형 pnpn 보호용 소자의 등가회로는 간단히 RC 직렬회로로 모델링될 수 있음을 보인다. 추출한 등가회로를 이용한 회로 시뮬레이션에 근거하여, 주요 RF 회로의 하나인 LNA에 ESD 보호용 소자를 장착할 경우 보호용 소자의 기생성분이 LNA의 특성에 미치는 영향에 대해 조사해 본다. NMOS 보호용 트랜지스터를 단순히 커패시터 하나만으로 모델링할 경우 회로특성의 예측에 큰 오류가 발생할 수 있음을 설명한다. 또한 제시한 pnpn 보호용 소자를 사용할 경우 보호용 소자의 장착에 의한 LNA 회로의 특성 열화가 크게 감소될 수 있음을 확인한다.
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[학술지(정기간행물)] - P. Leroux / Mar.2001. / High-performance 5.2GHz LNA with on-chip inductor to provide ESD protection. 37 : 467 ~ 469
[학술지(정기간행물)] - M.-D. Ker / aug.2000. / ESD protection design on analog pin with very low input capacitance for high-frequency or current-mode applications. 36 : 1104 ~ 1199
[학술지(정기간행물)] - B. Kleveland / aug.2000. / Distributed ESD protection fro high-speed integrated circuits 21 : 390 ~ 392
[학술지(정기간행물)] - H. Feng / 2000 / A comparison study of ESD protection fro RF ICs : 143 ~ 146
[학술지(정기간행물)] - 최진영 / 2003년12월. / RF IC용 싸이리스터형 정전기 보호소자 설계에 관한 연구 : 172 ~ 180
[학술지(정기간행물)] - M.-D. Ker / aug.2000. / ESD protection design on analog pin with very low input capacitance for high-frequency or current-mode applications. 36 : 1104 ~ 1199
[학술지(정기간행물)] - B. Kleveland / aug.2000. / Distributed ESD protection fro high-speed integrated circuits 21 : 390 ~ 392
[학술지(정기간행물)] - H. Feng / 2000 / A comparison study of ESD protection fro RF ICs : 143 ~ 146
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