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Purpose: The purpose of this study was to investigate the effect of grinding process and thickness on the fracture strength of silicon die used for semiconductor substrate.
Method: Silicon wafers with different thickness from 200 μm to 50 μm were prepared by chemical mechanical polishing (CMP) and dicing before grinding (DBG) process, respectively. Fracture load was measured by point load test for 50 silicon dies per each wafer.
Results: Fracture strength at the center area was lower than that at the edge area of the wafer fabricated by DBG process, while random distribution of the fracture strength was observed for the CMPed wafer. Average fracture strength of DBGed specimens was higher than that of the CMPed ones for the same thickness of wafer.
Conclusion: DBG process can be more helpful for lowering fracture probability during the semiconductor fabrication process than CMP process.
Method: Silicon wafers with different thickness from 200 μm to 50 μm were prepared by chemical mechanical polishing (CMP) and dicing before grinding (DBG) process, respectively. Fracture load was measured by point load test for 50 silicon dies per each wafer.
Results: Fracture strength at the center area was lower than that at the edge area of the wafer fabricated by DBG process, while random distribution of the fracture strength was observed for the CMPed wafer. Average fracture strength of DBGed specimens was higher than that of the CMPed ones for the same thickness of wafer.
Conclusion: DBG process can be more helpful for lowering fracture probability during the semiconductor fabrication process than CMP process.
목차
1. 서론
2. 이론적 배경
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 결론
References
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
Cotterell, B., Chen, Z., Han, J. B., and Tan, N. X. (2003). “The strength of the silicon die in flip-chip assemblies”. Journal of Electronic Packaging, Vol. 125, No. 1, pp. 115-119.
Landesberger, C., Klink, G., Schwinn, G., and Aschenbrenner, R. (2001). “New dicing and thinning concept improves mechanical reliability of ultra thin silicon”. Advanced Packaging Materials: Processes, Properties and Interfaces, Proceedings. International Symposium on. IEEE, pp. 92-97.
McLellan, N., Fan, N., Liu, S., Lau, K. and Wu, J.(2004). “Effects of wafer thinning condition on the roughness, morphology and fracture strength of silicon die”. Journal of Electronic Packaging, Vol. 126, No. 1, pp. 110-114.
Wu, J. D., Huang, C. Y. and Liao, C. C. (2003). “Fracture strength characterization and failure analysis of silicon dies”. Microelectronics Reliability, Vol. 43, No. 2, pp. 269-277.
Paul, I., Majeed, B., Razeeb, K. M. and Barton, J. (2006). “Statistical fracture modelling of silicon with varying thickness”, Acta materialia, Vol. 54, No. 15, pp. 3991-4000.
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